技术能力
多种基材上制作能力
薄膜电路用陶瓷基
陶瓷基片上金属化能力
陶瓷基片上孔金属化能力
精密导线制作能力
精密电阻制作能力
划片能力
真空焊接能力
壳体/热沉可焊性镀覆能力
技术能力>陶瓷基片上金属化能力
  陶瓷基片上金属化能力
金属膜层
功能
制作方法
典型厚度范围
TaN
电阻层
溅射
5Ω/□~200Ω/□;温度系数<±100ppm
TiW
黏附层/阻挡层
溅射
20nm~60nm
Ti
黏附层
溅射
20nm~60nm
Cr
黏附层
溅射
20nm~60nm
Pt
阻挡层
溅射
20nm~100nm
Ni
阻挡层
溅射or 电镀
溅射:0.1μm~1μm 电镀: 1μm~10μm
Cu
导体
溅射
溅射:0.1μm~6μm
Au
导体
溅射or 电镀
溅射:0.05μm~0.2μm电镀: 0.3μm~10μm